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半导体质料专家梁骏吾院士去世

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  【灼烁追思】

  半导体质料专家、半导中国工程院院士、体材中国迷信院半导体所研讨员梁骏吾,料专因病治疗有效,家梁骏吾于2022年6月23日在北京去世,院士享年89岁。去世

  梁骏吾,半导1933年9月18日出生,体材湖北武汉人。料专1955年结业于武汉大学,家梁骏吾1956年至1960年在苏联迷信院莫斯科巴依可夫冶金研讨所攻读副博士学位,院士1960年获技能迷信副博士学位。去世 1997年中选为中国工程院院士。半导曾任中国电子学会半电子质料学分会主任、体材光荣主任。料专

  梁骏吾是我国从事硅质料研讨的元老级专家,在20世纪60年月办理了高纯区熔硅的要害技能。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相内涵质料。1979年研制乐成为大范围集成电路用的无位错、无旋涡、卑微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年月首创了掺氮中子嬗变硅单晶,办理了硅片的完备性和匀称性的题目。90年月初研讨MOCVD生长超晶格量子阱质料,在晶体完备性、电学功能和超晶格布局控制方面,将中国超晶格量子阱质料推进到适用程度。

  梁骏吾终身与半导体质料科研奇迹相伴,他曾在采访中说,盼望经过本人的科研履历,带给年老科研职员一些启示,让他们看到这份奇迹可以有所作为,让他们以为本人异样可以作出成果。(灼烁日报全媒体记者李苑)

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